修士課程２年生の功刀遼太君が筆頭著者の論文がApplied Physics Express誌に掲載されました。

• Ryota Kunugi, Nobuhiro Nakagawa, Takanobu Watanabe, “Driving force of oxygen ion migration across high‐k/SiO₂ interface,” Applied Physics Express, Vol. 10, 031501 (2017). doi:10.7567/APEX.10.031501

MOSトランジスタの高誘電率ゲート絶縁膜に見られるしきい値シフトの起源を、分子動力学計算を用いて原子レベルで明らかにした結果を論じた論文です。

2017年1月19日～21日に東レ総合研修センターで開催された「電子デバイス界面テクノロジー研究会」（第22回）で、修士課程１年の大場俊輔君が「シリコンナノワイヤ型熱電発電デバイスにおける短チャネル効果」と題して口頭発表行い、この発表で服部賞（若手奨励賞評価・解析部門）を受賞しました。

修士１年生の依田大輝君が、WASEDA-EDGE 人材育成プログラムから生まれた取り組みを紹介するラジオ番組”WASEDA-EDGE DREAM”に出演し、「羽ばたくドローンで作る空飛ぶセンサー」の研究開発を紹介しました。

橋本修一郎君（電子物理システム学科助手）が国際会議「MNC 2015」で発表したポスター講演が「MNC 2015 Most Impressive Poster」に選ばれ、11月9日、ANAクラウンプラザホテル京都で開催された「MNC2016」のプレナリーセッションで表彰されました。

依田君、臼田君、重松君、白鳥君、伊勢君、滝口さんが提案した研究開発課題が、科学技術振興機構（JST）『研究成果展開事業 大学発新産業創出プログラム（ＳＴＡＲＴ）技術シーズ選抜育成プロジェクト〔ＩｏＴ分野〕』平成28年度新規研究開発課題に採択されました。

全体採択件数9件のうち、早稲田大学は2件と、組織単位では最多の採択件数となったそうです。下記の早稲田大学のニュースページで採択課題と当人たちのコメントが紹介されています。

「JST大学発新産業創出プログラムＩｏＴ分野」にて、本学の学生2チームが採択 ～大学発の技術シーズ事業化で若き研究者に大きな期待～

修士１年生の依田大輝君らが提案した研究開発計画が、ＪＳＴ大学発新産業創出プログラム（ＳＴＡＲＴ）技術シーズ選抜育成プロジェクト〔ＩｏＴ分野〕の平成２８年度新規研究開発課題に選ばれました。

ＪＳＴ研究成果展開事業 大学発新産業創出プログラム（ＳＴＡＲＴ）技術シーズ選抜育成プロジェクト〔ＩｏＴ分野〕平成２８年度新規研究開発課題の決定について

研究開発課題名称：羽ばたき飛行制御技術を応用した自律型情報収集端末の開発

研究開発チームリーダー：依田 大輝（電子物理システム学専攻・修士１年）

研究開発の概要：重心移動機構を備えた、自力での離着陸が可能な羽ばたき型ＵＡＶ（無人航空機）の試作機を製作し、自力での離着陸から長距離飛行まで自由度の高い飛行の実現を目指す。

早稲田大学ナノテクノロジーフォーラムのメールマガジンにインタビュー記事が掲載されました。

INTERVIEW-未来の早稲田を担う研究者- No.1
・渡邉孝信教授 (研究分野:電子・電気材料工学、数理物理・物性基礎、ナノ構造科学)

橋本修一郎君（電子物理システム学科助手）が国際会議「MNC 2015」で発表したポスター講演が「MNC 2015 Most Impressive Poster」に選ばれました。

• Shuichiro Hashimoto, Kohei Takei, Jing Sun, Shuhei Asada, Xu Zhang, Taiyu Xu, Toshihiro Usuda, Motohiro Tomita, Ryosuke Imai, Atsushi Ogura, Takashi Matsukawa, Meishoku Masahara, and Takanobu Watanabe, “Origin of Preferential Diffusion of Ni along Si/SiO₂ Interface in Si Nanowire,” 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2015), Toyama International Conference Center, Toyama, Nov. 12, 2015.

Awardの表彰式は、2016年11月9日、ANAクラウンプラザホテル京都で開催予定の「MNC2016」のプレナリー講演前に行われる予定です。

志村昂亮君（M2）と武井康平君（M2）が筆頭著者として執筆した論文がJapanese Journal of Applied Physics誌第55巻に掲載されました。

Kosuke Shimura, Ryota Kunugi, Atsushi Ogura, Shinichi Satoh, Jiayang Fei, Koji Kita, Takanobu Watanabe, “Positive and Negative Dipole Layer Formation at High-k/SiO2 Interfaces Simulated by Classical Molecular Dynamics,” Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, 04EB03 (2016). doi:10.7567/JJAP.55.04EB03

Kohei Takei, Shuichiro Hashimoto, Jing Sun, Xu Zhang, Shuhei Asada, Taiyu Xu, Takashi Matsukawa, Meishoku Masahara, and Takanobu Watanabe, “ON current enhancement of nanowire Schottky barrier tunnel field effect transistors,”Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, 04ED07(2016). doi:10.7567/JJAP.55.04ED07

2016年1月22日～23日に東レ総合研修センターで開催された「電子デバイス界面テクノロジー研究会」（第21回）で、修士課程１年の麻田修平君が安田賞（若手奨励賞プロセス部門）を受賞しました。