2014年12月9日、IEDM2014で発表する研究成果について、プレス発表を行いました。
日刊工業新聞 2014年12月16日 朝刊 23面 3段 1枚
◆早稲田大学 GPUで半導体シミュレーター MOS集積限界特定
14.12.19 化学工業日報 10面
◆早大、GPU用い高速計算 MOSトランジスタ 性能限界予測に成功
朝日新聞デジタル
http://www.asahi.com/tech_
日刊工業新聞 Business Line
2014年12月9日、IEDM2014で発表する研究成果について、プレス発表を行いました。
日刊工業新聞 2014年12月16日 朝刊 23面 3段 1枚
◆早稲田大学 GPUで半導体シミュレーター MOS集積限界特定
14.12.19 化学工業日報 10面
◆早大、GPU用い高速計算 MOSトランジスタ 性能限界予測に成功
朝日新聞デジタル
http://www.asahi.com/tech_
IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM2014)で鈴木晃人君が口頭発表しました。
朝日新聞デジタルの記事はこちら >> 早大、GPUで粒子ベースの半導体シミュレーター開発-MOS集積限界を特定
第75回応用物理学会で行った図師知文君の講演が、講演奨励賞に選ばれました。
27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2014)で、橋本修一郎君(M2)が口頭発表を行いました。
第75回応用物理学会で、木谷君がポスター賞を受賞しました。

Solid State Devices and Materials(SSDM2014)で、図師君が口頭発表を行いました。
19th Simulation of Semiconductor Processes and Devices(SISPAD2014)で、鈴木君が口頭発表を行いました。
IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM2014)に投稿した鈴木君の論文が採択されました。