2月12日、東京大学で開催されたIEEE EDS Japan Chapter 総会にて、修士２年生の鈴木晃人君が第13回2014年 IEEE EDS Japan Chapter Student Awardを受賞しました。
この賞は、EDS主催の重要国際学会において、第一著者として口頭発表した学生研究者の中から毎年数名に与えられる賞です。
2014年12月にサンフランシスコで開催された国際会議IEDMにおける鈴木君の発表が評価され、この度の受賞となりました。
４年生の臼田稔宏君が箱根駅伝のチームエントリーに選ばれました！
2014年12月9日、IEDM2014で発表する研究成果について、プレス発表を行いました。
日刊工業新聞 2014年12月16日 朝刊 23面 3段 1枚
◆早稲田大学 ＧＰＵで半導体シミュレーター ＭＯＳ集積限界特定
14.12.19 化学工業日報 10面
◆早大、GPU用い高速計算 MOSトランジスタ 性能限界予測に成功
朝日新聞デジタル
http://www.asahi.com/tech_
IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM2014)で鈴木晃人君が口頭発表しました。
朝日新聞デジタルの記事はこちら >> 早大、ＧＰＵで粒子ベースの半導体シミュレーター開発－ＭＯＳ集積限界を特定
第75回応用物理学会で行った図師知文君の講演が、講演奨励賞に選ばれました。
27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2014)で、橋本修一郎君(M2)が口頭発表を行いました。
第75回応用物理学会で、木谷君がポスター賞を受賞しました。
Solid State Devices and Materials(SSDM2014)で、図師君が口頭発表を行いました。
19th Simulation of Semiconductor Processes and Devices(SISPAD2014)で、鈴木君が口頭発表を行いました。
IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM2014)に投稿した鈴木君の論文が採択されました。
