2009年度学会発表

国際会議

  1. Ryo Tosaka, Hideaki Yamamoto, Iwao Ohdomari, and Takanobu Watanabe, “Molecular Dynamics Simulation on Adsorption of Ribosomal Protein L2 onto Silica Surface,” 2009 MRS Fall Meeting, Boston, USA, Dec. 2009.
  2. Tomoya Onda, Hideaki Yamamoto, Ryo Tosaka, and Takanobu Watanabe, “Large-Scale Modeling of GeO2/Ge and SiO2/Si Interface Structures,” 2009 MRS Fall Meeting, Boston, USA, Dec. 2009.
  3. Tomofumi Zushi, Takanobu Watanabe, Iwao Ohdomari, Yoshinari Kamakura, and Kenji Taniguchi, “Simulation on the Heat Transport in a Silicon Nano-structure Covered with Oxide Films,” 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009), Sendai Kokusai Hotel, Sendai, Japan, Oct. 2009.
  4. Tomoya Onda, Hideaki Yamamoto, Ryo Tosaka, Iwao Ohdomari, and Takanobu Watanabe, “Atomistic Modeling of GeO2/Ge and SiO2/Si Interface Structures,” 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009), Sendai Kokusai Hotel, Sendai, Japan, Oct. 2009.
  5. Ikushin Tsuchida, Aya Seike, Hajime Takai, J. Masuda, Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura, Iwao Ohdomari and Takanobu Watanabe, “Experimental investigation of electron-phonon scattering effect in strained Si nanowire FETs at low temperature,” 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009), Sendai Kokusai Hotel, Sendai, Japan, Oct. 2009.
  6. Aya Seike, Hajime Takai, Ikushin Tsuchida, J. Masuda, Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura, Iwao Ohdomari and Takanobu Watanabe, “Impact of adequate selection of channel direction on (001) and (110) wafer orientation for strained nanowire transistors,”  2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009), Sendai Kokusai Hotel, Sendai, Japan, Oct. 2009.
  7. Ikushin Tsuchida, Aya Seike, Hajime Takai, J. Masuda, Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura, Iwao Ohdomari and Takanobu Watanabe, “Electron-phonon scattering effect on strained Si nanowire FETs at low temperature,” 216th ECS Meeting, Vienna, Austria, Oct. 2009.
  8. Aya Seike, Hajime Takai, Ikushin Tsuchida, J. Masuda, Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura, Iwao Ohdomari, Takanobu Watanabe, “Demonstration of transconductance enhancement on (110) and (100) strained-nanowire FETs,” 216th ECS Meeting, Vienna, Austria, Oct. 2009.
  9. Takefumi Kamioka, Yutaka Kazama, Takahiro Yoshida, Iwao Ohdomari,  Takanobu Watanabe, “Real-time scanning tunneling microscope observation of implanted gold atoms on silicon surface,” 10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-10), Granada, Spain, Sep. 2009.
  10. (Invited) Takanobu Watanabe, “Atomistic Picture of Silicon Oxidation Process; Beyond the Deal-Grove Model,” International Conference on Computational & Experimental Engineering and Sciences (ICCES’09), HiltonPhuket Arcadia Resort & Spa, Phuket, Thailand, Apr. 10, 2009.

国内会議

  1. 恩田　知弥, 山本　英明, 渡邉　孝信, “GeO2/Ge界面のストレス緩和の起源,” 第57回応用物理学関連連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 平塚, 2010年3月18日.
  2. 高井　一, 清家　綾, 土田　育新, 増田　純一, 小瀬村　大亮, 小椋　厚志, 大泊　巌, 渡邉　孝信, “歪SiナノワイヤFETにおけるチャネル方向とウエハ面方位が相互コンダクタンスに与える影響評価,” ゲートスタック研究会（第１5回）－材料・プロセス・評価の物理―, 東レ総合研修センター, 三島, 2010年1月22日.
  3. 恩田　知弥, 山本　英明, 渡邉　孝信, “分子動力学法によるGeO2/Ge界面構造の基板面方位依存性に関する調査,”  ゲートスタック研究会（第１5回）－材料・プロセス・評価の物理―, 東レ総合研修センター, 三島, 2010年1月22日.
  4. (招待講演）渡邉 孝信, “Deal-Groveモデルに代わるシリコン熱酸化速度理論,” 第29回表面科学学術講演会, タワーホール船堀, 東京, 2009年10月28日.
  5. 恩田  知弥, 山本 英明, 大泊 巌, 渡邉 孝信, “GeO2/Ge(001), GeO2/Ge(110), GeO2/Ge(111)構造のモデリング,” 第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 富山, 2009年9月1日.
  6. 山本 英明, 谷井 孝至, 佐々木 康祐, 金川 清, 佐藤 裕子, 大泊 巌, 渡邉 孝信, 中村 俊, “PC12細胞のナノ改質基板上での移動・突起伸長過程のタイムラプス観察,” 第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 富山, 2009年9月1日.
  7. 登坂 亮, 山本 英明, 大泊 巌, 渡邉 孝信, “リボソーム構成たんぱく質L2のシリカ基盤への吸着シミュレーション,” 第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 富山, 2009年9月1日.
  8. 図師知文, 鎌倉良成, 谷口研二, 大泊　巌, 渡邉孝信, “分子動力学法によるシリコンナノ構造中の熱輸送シミュレーション,” 第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 富山, 2009年9月1日.
  9. 神岡武文, 風間裕, 吉田尚弘, 大泊巌, 渡邉孝信, “イオン照射誘起欠陥の出現位置のメモリー効果,” 第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 富山, 2009年9月1日.
  10. 高井　一, 清家　綾, 土田育新, 増田純一, 小瀬村大亮, 小椋厚志, 大泊　巌, 渡邉孝信, “歪SiナノワイヤFETにおける相互コンダクタンスのドレイン電圧依存性,”  第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 富山, 2009年9月1日.
  11. (依頼講演）渡邉 孝信, 恩田 知弥, 登坂　亮, 山本 英明, “分子動力学法によるGeO2/Ge界面のモデリング　-SiO2/Siとの違い-,” シリコン材料・デバイス研究会（SDM）, 東京大学 生産技術研究所, 2009年6月1日.

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