2014年度学会発表

国際会議

  1. Akito Suzuki, Takefumi Kamioka, Yoshinari Kamakura, Kenji Ohmori,　Keisaku Yamada, and Takanobu Watanabe, “Source-induced RDF Overwhelms RTN in Nanowire Transistor: Statistical Analysis with Full Device EMC/MD Simulation,” IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2014), Hilton San Francisco Union Square, San Francisco, USA, Dec. 14, 2014.
  2. Shuichiro Hashimoto, Hiroki Kosugiyama, Kohei Takei, Jing Sun, R. Imai, H. Tokutake, Motohiro Tomita, Atsushi Ogura, Takashi Matsukawa Meishoku Masahara and Takanobu Watanabe, “Impact of post-oxidation annealing of Si nanowire on its Ni silicidation rate,” 27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2014), Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan, Nov. 6, 2014.
  3. (Invited) Takanobu Watanabe, Ryo Kuriyama, Masahiro Hashiguchi, Ryusuke Takahashi, Kosuke Shimura, Atsushi Ogura, and Sinich Satoh, “Molecular Dynamics Simulation of Dipole Layer Formation at High-k/SiO2 Interface,” 226th Meeting of The Electrochemical Society, Moon Palace Resort, Cancun, Mexico Oct. 6, 2014.
  4. Tomofumi Zushi, Kenji Ohmori, Keisaku Yamada, and Takanobu Watanabe, ” Thermal Transport Properties of Si Nanowire Covered with SiO2 Layer: A Molecular Dynamics Study,” 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014), Epocal Tsukuba, Tsukuba, Japan, Sep. 10, 2014.
  5. Akito Suzuki, Takefumi Kamioka, Yoshinari Kamakura, and Takanobu Watanabe, “Full-Scale Whole Device EMC/MD Simulation of Si Nanowire Transistor Including Source and Drain Regions by Utilizing Graphic Processing Units,” 2014　International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD 2014),” Mielparque Yokohama, Yokohama, Japan, Sep. 11, 2014.

国内会議

  1. 今津 研太, 武良 光太郎, 木谷 哲, 小花 絃暉, 橋本 修一郎, 神岡 武文, 渡邉 孝信, “Ni/Si(111)-√19×√19再構成表面における空孔湧出過程,” 第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2015年3月13日.
  2. 功刀 遼太, 橋口 誠広, 志村 昴亮, 小椋 厚志, 佐藤 真一, 渡邉 孝信, “分子動力学法によるhigh-k/SiO2界面のダイポール形成シミュレーション（２） －酸素密度緩和モデルで説明できないMgO/SiO2界面ダイポールの再現－,”  第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2015年3月13日.
  3. （講演奨励賞記念講演) 図師 知文, 大毛利 健治, 山田 啓作, 渡邉 孝信, “酸化被膜型Siナノワイヤにおける熱伝導率低下の起源に関する原子論的考察,” 第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2015年3月12日.
  4. 徐 泰宇, 小杉山 洋希, 橋本 修一郎, 武井 康平, ソン セイ, 麻田 修平, 張 旭, 若水 昂, 松川 貴, 昌原 明植, 渡邉 孝信, “ナノワイヤ型ショットキー障壁トンネルFETの動作解析,” 第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2015年3月12日.
  5. 麻田 修平, 小杉山 洋希, 橋本 修一郎, 武井 康平, ソン セイ, 張 旭, 徐 泰宇, 若水 昂, 松川 貴, 昌原 明植, 渡邉孝信, “ナノワイヤ型ショットキー障壁トンネルFETのON電流密度増大,” 第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2015年3月11日.
  6. 秋山 隼哉, 臼田 稔宏, 堀 俊彦, 渡邉 孝信, “エッジ直線の交点生起確率を用いたリアルタイム消失点検出法,” 2015年電子情報通信学会総合大会, 立命館大学びわこ・くさつキャンパス, 2015年3月12日.
  7. 橋本 修一郎, 木谷 哲, 図師 知文, 渡邉 孝信, ” 酸化膜被覆型SiナノワイヤにおけるNi合金化プロセスの分子動力学的解析,” 第20回ゲートスタック研究会, 東レリサーチセンター, 三島, 2015年1月30日.
  8. 志村 昂亮, 橋口 誠広, 功刀 遼太 (早大), 小椋 厚志, 佐藤 真一, 渡邉 孝信, “High-k/SiO2界面のダイポール層がチャネル垂直方向電界に与える影響,” 第20回ゲートスタック研究会, 東レリサーチセンター, 三島, 2015年1月30日.
  9. 武井 康平, 小杉山 洋希, 橋本 修一郎, ソン セイ, 麻田 修平, 徐 泰宇, 若水 昂, 今井 亮佑, 徳武 寛紀, 富田 基裕, 小椋 厚志, 松川 貴, 昌原 明植, 渡邉 孝信, “SiO2/Si界面の結晶性劣化によるSiナノワイヤのNi化速度の上昇,” 第20回ゲートスタック研究会, 東レリサーチセンター, 三島, 2015年1月30日.
  10. 橋口 誠広，志村昂亮，功刀遼太，知京豊裕，小椋厚志，佐藤真一，渡邉孝信, “High-k/ High-k界面におけるダイポール形成の可能性の検討,” 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 札幌, 2014年9月20日.
  11. (Poster Award) 木谷哲，橋本修一郎，武良光太郎，今津研太，小花絃暉，神岡武文，渡邉孝信, “分子シミュレーションによるSi表面の空孔クラスタとNi原子の相互作用の解析,” 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 札幌, 2014年9月20日.
  12. (講演奨励賞) 図師知文，大毛利健治，山田啓作，渡邉孝信, “酸化被膜型Siナノワイヤにおける熱伝導率低下の起源に関する考察,” 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 札幌, 2014年9月19日.
  13. 鈴木晃人，神岡武文，鎌倉良成，渡邉孝信, “酸化膜トラップ電荷によるSiナノワイヤトランジスタの電流ばらつきの統計的解析,” 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 札幌, 2014年9月19日.
  14. 武井康平，小杉山洋希，橋本修一郎，ソン セイ，麻田修平，徐泰宇，若水昂，松川貴，昌原明植，渡邉孝信, “酸化膜被覆型Siナノワイヤのシリサイド化に伴う破裂現象,” 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 札幌, 2014年9月19日.
  15. 孫　静，橋本修一郎，小杉山洋希，武井康平，麻田修平，徐泰宇，若水昂，今井亮佑，徳武寛紀，松川貴，富田基裕，小椋厚志，昌原明植，渡邉孝信, “SiナノワイヤのNiシリサイド化速度へのポスト酸化アニールの影響,” 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 札幌, 2014年9月19日.
  16. 志村昂亮，橋口 誠広，功刀遼太，小椋厚志，佐藤真一，渡邉孝信, “分子動力学法によるhigh-k/SiO2界面のダイポール形成シミュレーション　－正負両方向のダイポール層の再現－,” 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 札幌, 2014年9月19日.
  17. 橋本修一郎，小杉山洋希，ソン セイ，武井康平，木谷哲，図師知文，渡邉孝信, ” Niシリサイド化速度のSi結晶構造依存性 -分子動力学法による解析-,” 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 札幌, 2014年9月17日.