2013年度学会発表

国際会議

  1. (Requested) Takanobu Watanabe, “Molecular dynamics simulation of gate dielectric thin films,” The 5th NIMS/MANA-Waseda University International Symposium, NIMS Sengen site, Tsukuba, Japan, Mar. 24, 2014.
  2. Tomofumi Zushi, “A Simulation Study of Thermoelectric Properties of Silicon Nanotubes,” The 5th NIMS/MANA-Waseda University International Symposium, NIMS Sengen site, Tsukuba, Japan, Mar. 24, 2014.
  3. Ryo Kuriyama, Masahiro Hashiguchi, Ryusuke Takahashi, Atsushi Ogura, Shinichi Satoh, Takanobu Watanabe, “Molecular Dynamics Study on the Formation of Dipole Layer at High-k/SiO2 Interfaces,” 2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY -, University of Tsukuba (Tokyo Campus), Tokyo, Japan, Nov. 7, 2013.
  4. Hiroki Yamashita, Hiroki Kosugiyama, Yasuhiro Shikahama, Shuichiro Hashimoto, Kouhei Takei , Jing Sun, Takashi Matsukawa, Meishoku Masahara, and Takanobu Watanabe, ” 26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2013),  Royton Sapporo, Sapporo, Japan, Nov. 7, 2013.
  5. Kotaro Mura, Takefumi Kamioka, Tetsu Kitani, Kenta Imazu, and Takanobu Watanabe, “Real-time Scanning Tunneling Microscopy Observation of Ni Ion Irradiation Process on Si(111) Surfaces,” 12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-12), Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan, Nov. 5, 2013.
  6. (Invited) Takanobu Watanabe, “Recent Progress in Molecular Dynamics Simulation of Semiconductor Interfaces,” 2013 NIMS CONFERENCE, EPOCHAL TSUKUBA, Tsukuba, Japan, Jul. 3, 2013.
  7. Masahiro Hashiguchi, Ryo Kuriyama, Ryusuke Takahashi, Atsushi Ogura, Shinichi Satoh and Takanobu Watanabe, “Electrostatic Force Originated From the Dipole Layer at Al2O3/SiO2 Interface,” 2013 NIMS CONFERENCE, EPOCHAL TSUKUBA, Tsukuba, Japan, Jul. 2, 2013.
  8. Ryo Kuriyama, Masahiro Hashiguchi, Ryusuke Takahashi, Atsushi Ogura, Shinichi Satoh and Takanobu Watanabe, “Molecular Dynamics Study on Dipole Layer Formation at Al2O3/SiO2 Interface,” 2013 NIMS CONFERENCE, EPOCHAL TSUKUBA, Tsukuba, Japan, Jul. 2, 2013.
  9. Hiroya Imai, Takefumi Kamioka, Yoshinari Kamakura, Kenji Ohmori, Kenji Shiraishi, Masaaki Niwa, Keisaku Yamada and Takanobu Watanabe, “Effect of Interface Roughness on Carrier Transport in Asymmetric Channel: An EMC/MD Simulation Study,” 16th International Workshop on Computational Electronics, Nara Prefectural New Public Hall, Nara, Japan, Jun. 5, 2013.
  10. Akito Suzuki, Takefumi Kamioka, Hiroya Imai, Yoshinari Kamakura , and Takanobu Watanabe , “Accelerated parallel computing of carrier transport simulation utilizing graphic processing units,” 16th International Workshop on Computational Electronics, Nara Prefectural New Public Hall, Nara, Japan, Jun. 5, 2013.

国内会議

  1. 清水 嘉泰，秋山 隼哉，渡邉 孝信, “フレームバッファの不要な1-pass線分抽出法,” 2014年電子情報通信学会総合大会, 新潟大学, 新潟, 2014年3月20日.
  2. 武井康平，鹿浜康寛，山下広樹，小杉山洋希，橋本修一郎，孫静，松川貴，昌原明植，渡邉孝信, “Siナノワイヤ幅の縮小によるカーケンダルボイド発生の抑制,” 第61回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学, 淵野辺, 2014年3月20日.
  3. 図師知文，CrestiAlessandro，Pala Marco，山田啓作，渡邉孝信, “Impact of Surface Roughness on Thermoelectric Properties of Silicon Nanotubes,” 第61回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学, 淵野辺, 2014年3月20日.
  4. 鈴木晃人，阿久津梨花，今井裕也，神岡武文，鎌倉良成，渡邉孝信, “ソース・ドレインの不純物位置ばらつきによる電流ばらつきの解析,” 第61回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学, 淵野辺, 2014年3月19日.
  5. 板橋貫人，桑原猛，出澤義人，清水嘉泰，秋山隼哉，深沢太郎，安齋研一郎，渡邉孝信, “羽ばたきモータのセンサレス角度検出の高精度化,” 第61回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学, 淵野辺, 2014年3月19日.
  6. 志村昂亮，栗山亮，橋口 誠広，高橋隆介，小椋厚志，佐藤真一，渡邉孝信, “High-k/SiO2界面のダイポール層形成メカニズムの考察 －多重極子誘起酸素移動モデルの提案－,” 第61回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学, 淵野辺, 2014年3月18日.
  7. (依頼講演) 渡邉孝信, “分子動力学法による酸化膜被覆型Siナノワイヤのフォノン解析,” 電気学会 ナノエレクトロニクス集積化・応用技術調査専門委員会, 早稲田大学研究開発センター, 新宿, 2014年3月14日.
  8. (服部賞受賞） 図師 知文, 志村 昂亮, 大毛利 健治, 山田 啓作 , 渡邉 孝信, “酸化膜に覆われたナノワイヤ型Si結晶のフォノン分散関係に格子歪が及ぼす影響,” 第19回ゲートスタック研究会, ニューウェルシティー湯河原, 湯河原, 2014年1月24日.
  9. 小杉山 洋希, 鹿浜 康寛, 山下 広樹, 橋本 修一郎, 武井 康平, 孫 静, 松川 貴, 昌原 明植, 渡邉 孝信, “Siナノワイヤ形成プロセスがその後のNiシリサイド化反応速度に与える影響,” 第19回ゲートスタック研究会, ニューウェルシティー湯河原, 湯河原, 2014年1月24日.
  10. 橋口 誠広, 栗山 亮, 志村 昂亮, 高橋 隆介, 小椋 厚志, 佐藤 真一, 渡邉 孝信, “High-k/SiO2 界面のダイポール層がチャネル内電界に与える影響,” 第19回ゲートスタック研究会, ニューウェルシティー湯河原, 湯河原, 2014年1月24日.
  11. (依頼講演)渡邉孝信, “MD法で探る半導体と絶縁膜の界面構造,” 富士通計算化学ユーザーフォーラム2013, 富士通トラステッド・クラウド・スクエア, 東京,  2013年11月29日.
  12. (依頼講演)渡邉孝信, “Al2O3/SiO2界面の分子動力学シミュレーション,” CVD反応分科会 第21回シンポジウム, 東京大学山上会館, 東京,  2013年11月19日.
  13. 小杉山洋希，鹿浜康寛，山下広樹，橋本修一郎，武井康平，孫静，松川貴，昌原明植，渡邉孝信, “Siナノワイヤ中のNiシリサイド成長速度 (2)　不純物濃度依存性,” 第74回応用物理学会学術講演会, 同志社大学京田辺キャンパス, 京田辺, 2013年9月20日.
  14. 山下広樹，鹿浜康寛，小杉山洋希，橋本修一郎，武井康平，孫静，松川貴，昌原明植，渡邉孝信, “Siナノワイヤ中のNiシリサイド成長速度 (1) 熱履歴依存性,” 第74回応用物理学会学術講演会, 同志社大学京田辺キャンパス, 京田辺, 2013年9月20日.
  15. 橋本修一郎，鹿浜康寛，渡邉孝信, “コア-シェルゲート構造によるショットキー障壁トンネルFETの特性改善,” 第74回応用物理学会学術講演会, 同志社大学京田辺キャンパス, 京田辺, 2013年9月19日.
  16. 武良光太郎，神岡武文，木谷哲，今津研太，渡邉孝信, “Si(111)表面へのNiイオン照射過程のリアルタイムSTM観察,” 第74回応用物理学会学術講演会, 同志社大学京田辺キャンパス, 京田辺, 2013年9月18日.
  17. 橋口 誠広，栗山亮，高橋隆介，小椋厚志，佐藤真一，渡邉孝信, “Al2O3/SiO2 界面のダイポールが誘起するチャネル内の静電界,” 第74回応用物理学会学術講演会, 同志社大学京田辺キャンパス, 京田辺, 2013年9月17日.
  18. 栗山亮，橋口 誠広，高橋隆介，小椋厚志，佐藤真一，渡邉孝信, “分子動力学シミュレーションによるAl2O3/SiO2界面のダイポール層の再現,” 第74回応用物理学会学術講演会, 同志社大学京田辺キャンパス, 京田辺, 2013年9月17日.
  19. (依頼講演) 鈴木晃人, 今井裕也, 神岡武文, 鎌倉良成, 渡邉孝信, “GPU並列計算による計算によるキャリア輸送シミュレーョンの高速化,” 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会モデリング研究集会, 機会振興会館, 東京,   2013年7月12日.
  20. 桑原　猛, 出澤義人, 澤根慧, 富永峻平, 安齋研一郎, 板橋貫人, 渡邉孝信, “HDD のVCM を用いた羽ばたき機構のセンサレス角度検出,” 日本機械学会　ロボティクス・メカトロニクス講演会 (ROBOMEC 2013),” つくば国際会議場, つくば, 2013年5月23日.
  21. 出澤義人, 桑原猛, 安齊研一郎, 板橋貫人, 澤根慧, 富永峻平, 阪口正律, 松本奈々, 川上泰雄, 渡邉孝信, “羽ばたきロボットの能動的フェザリング運動が揚力に与える影響,” 日本機械学会　ロボティクス・メカトロニクス講演会 (ROBOMEC 2013),” つくば国際会議場, つくば, 2013年5月23日.

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