国際会議

1. Takanobu Watanabe, Tomoya Onda, and Iwao Ohdomari, “Misfit Stress Relaxation Mechanism in GeO₂/Ge Systems: A Classical Molecular Simulation Study,” ECS 218th meeting, Riviera Hotel, Las Vegas, USA, Oct. 14, 2010.
2. Tomofumi Zushi, Iwao Ohdomari, Takanobu Watanabe, Yoshinari Kamakura, Kenji Taniguchi, “Molecular Dynamics Simulation of LO Phonon Mode Decay in Si Nano-Structures Covered with Oxide Films,” The International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD2010), Royal Hotel Carlton, Bologna, Italy, Sep. 6, 2010.
3. Takanobu Watanabe, Tomofumi Zushi, Yoshinari Kamakura, Kenji Taniguchi, and Iwao Ohdomari, “Molecular Dynamics Simulation on Phonon Dynamics and Heat Transport in Nanoscale Silicon,” International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE), Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan, Jun. 3, 2010.

国内会議

1. 鹿浜康寛，高井　一，川村祐士，渡邉孝信, “GAA型ショットキー障壁トンネルFETの３次元デバイスシミュレーション,” 第58回応用物理学関連連合講演会, 神奈川工科大学, 厚木, 2011年3月26日.【東日本大震災により講演会中止】
2. 神岡 武文, 大毛利 健治, 白石 賢二, 鎌倉 良成, 渡邉 孝信, “EMC-MDシミュレーションによる電流揺らぎのチャネル幅依存性評価(II),” 第58回応用物理学関連連合講演会, 神奈川工科大学, 厚木, 2011年3月26日.【東日本大震災により講演会中止】
3. 川村祐士，高井　一，鹿浜康寛，渡邉孝信, “酸化誘起歪によるSiナノワイヤFETの電流駆動能力の向上,” 第58回応用物理学関連連合講演会, 神奈川工科大学, 厚木, 2011年3月25日.【東日本大震災により講演会中止】
4. 高井　一, 川村 祐士, 鹿浜 康寛, 渡邉 孝信, “TCADシミュレーションによるSi系トンネルFETの比較検討,” ゲートスタック研究会（第１6回）－材料・プロセス・評価の物理―,” 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京, 2011年1月23日.
5. (依頼講演）渡邉孝信, “Si 系トンネルFET のシミュレーション,” 電気学会シリコンナノデバイス集積化技術調査専門委員会「急峻サブスレショルドデバイスの現状と将来展望」, 早稲田大学研究開発センター, 新宿, 2010年11月26日.
6. 図師 知文, 鎌倉 良成, 谷口 研二, 大泊 巌, 渡邉 孝信, “Siナノ構造中のLOフォノン緩和に関する分子動力学シミュレーション,” 第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学文教キャンパス, 長崎, 2010年9月17日.
7. 高井　一, 川村 祐士, 鹿浜 康寛, 渡邉 孝信, “ショットキーバリアトランジスタのサブスレッショルドスイング評価,”  第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学文教キャンパス, 長崎, 2010年9月17日.
8. 神岡 武文, 大毛利 健治, 白石 賢二, 鎌倉 良成, 渡邉 孝信, “EMC-MDシミュレーションによる電流揺らぎのチャネル幅依存性評価,” 第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学文教キャンパス, 長崎, 2010年9月14日.
9. 礒野 文哉, 神岡 武文, 吉田 尚弘, 大泊 巌, 渡邉 孝信, “水素終端Si(001)-2×1表面へのイオン照射過程のその場STM観察,” 第71回応用物理学会学術講演会, 長崎大学文教キャンパス, 長崎, 2010年9月14日.